Reklam
İltek Ltd. Şti. Karakterizasyon LEXES Shallow Prop LEXFAB-300

Shallow Prop LEXFAB-300

Ultra Düşük Enerji İmplantları ve İnce Filmlerin İleri Malzeme Analizinde Metroloji Aracı

CAMECA Sığ Probu LEXFAB-300 90 nm ‘den 32 nm ve gerisine ön uç ve arka uç yarıiletken üretim mücadelesini çözmede ünik, çok yönlü metroloji aracıdır. Elementsel kompozisyon ve kalınlık, dopan dozimetri, imza analizi gibi geniş bir aralıkta üretim kontrol sorunlarına, substrat, ince veya kalın tabakalar (birkaç Å’dan muhtelif yüz nm2e kadar) çok değişik ortamlara  hitap eder.

FUL WAFER VERSİYONU:

* Sınırlı iz: 0.95m x 2.34 m
* 300 mm wafer için uygun önvaküm
* İki pozisyonlu önvaküm, bütün wafer'a ulaşabilme
* Kasetten kasete yükleyici sistem uyumluluğu (aksesuvar)
* Bütün sistem kuru pompalı
* Ful otomasyon
* İnsan Arabirimi PC/Windows O.S. ve standart Visual Basic
grafikle yönetilir
* Kullanım kolaylığı, operatör uzmanlığı en az
* temiz oda uyumlu
* Soğutma suyuna ihtiyaç yok

Tekniğin Kilit Noktaları:

* Seçilebilir Elementsel analiz: Periyodik tabloda
Be-U arasında herhangi element analiz edilebilir.
* Orta ve yüksek konsantrasyonlarda sığ implantlarda
kantitatif, hassas doz ölçümleri
* Mevcut standartların kolayca kullanımı: saf veya stoikiometrik
* Doğrudan sonuçlar


UYGULAMALARI:

İmplant wafer'larda kantitatif doz tayini   
Oksinitrit filmler; proses izleme için O ve N simultane ölçümü
SiGe tabaka karakterizasyonu: 100 um'den az wafer şekillerinde
kalınlık ve kompozisyon ölçümleri

PERFORMAS:
- Analitik Bilgi: Film kompozisyonu ve kalınlık, dopan dozu,
kalitatif tahribatsız derinlik profilleme
- Elementsel analiz:  3<Z<95 aralığında herhangi element
- 300 mm wafer uyumluluğu: 300 mm, 200 mm veya çoklu numune
tutucuları, kaset yükleme aksesuvarı
- Spatiyel resolüsyon: 10-100 um
- Nokta başına ölçme süresi: Görüntüleme/Kontrol modunda 20 sn
ful kantifikasyonda 2 dk
Üçe kadar element simultane olarak ölçülebilir
- Tekraredilebilirlik (1RSD): tipik %0.5-%1
- Tayin sınırı:  10^13 at/cm tipik
- Tahribatsız: numune hazırlama yok, biriktirme yok,
kros-kontaminasyon yok 
- Tipik Örnekler: ULE, SiGe yapıları ve ilgili dopan (B,C)
oksinitritler ve yüksek-k dielektrikler, metal filmler...

 

Verilen impant değerlerine göre LEXES ve SIMS doz tayini mukayesesi.

Logaritmik cizim 23 değişik numunenin ölçme birleşimidir (dopant, implantasyon enerjisi ve doz).
Mavi ve kırmızı yüzdeler LEXES ve SIMS sonuçlarındaki sapmanın implantcılar tarafından verilen doz değerlerini göstermektedir. SIMS verileri Accel-Decel aksesuvarlı IMS6f ile gerçekleştirilmiştir.

 
Kimler Sitede
Şu anda 2 konuk çevrimiçi
Ziyaretçi Sayacı
008938
BugünBugün16
DünDün47
Bu HaftaBu Hafta203
Bu AyBu Ay1146
Tüm GünlerTüm Günler8938
Statistik created: 2012-02-23T03:28:22+02:00
38.107.179.221
UNITED STATES
US
Çevrimiçi Üyeler 0
Ziyaretçiler 2