Yarıiletkenlerde ince film analizi ve dopan derinlik profilleme için Kuadrupol SIMS Mikroprobu.

CAMECA SIMS 4550 ultra sığ derinlik profili için, Si’de ince filmlerin eser element ve kompozisyonel ölçmelerinde, SiGe ve optik aparatlarda III-V gibi diğer bileşik malzemeler genişletilmiş imkanlar sunar.

Yüksek derinlik resolüsyonu ve yüksek iş üretimi

Küçülen cihaz boyutları ile implant profilleri ve tabaka kalınlıkları bugünkü yarı-iletkenlerde 1-10 nm civarındadır. SIMS 4550 bu uygulamalar için optimize edilmiş olup 5 keV’dan 150 eV altına programlanabilir darbe enerjili oksijen ve sezyum yüksek dansiteli ışın tavsiye eder.

Esneklik

CAMECA SIMS 4550 dinamik SIMS olup biriktirme şartlarında ful esnekli k sunar. (darbe açısı, enerji, türler).
Şarj kompanzasyonu için özel aksesuvarları ile (elektron tabancası, lazer)izole malzemeler kolaylıkla analiz edilebilir.
Numune tutucuları değişik numuneleri bulundurabilir: bir kaç mm² den 100mm çapa kadar numune boyutu.

SIMS 4550 H, C, N ve O için mükemmel sensitivite sunar  

Yüksek kararlılık ve otomasyon

Kuadrupol analizör optiği ve üstün pik-arkazemin performansı eser elementler için düşük tayin sınırı kilit faktörüdür.  Ultra dengeli iyon kaynakları ve elektronik < % 0.2 RSD ‘e kadar üst kararlılık ve tekraredilebilirlik sunar.  
Bütün cihaz ayarları veritabanında saklanır. Tekraredilebilir ölçmeler bir kaç fare tıklaması uzaklığındadır.

Oksinitrit
ultra ince yüksek-k-malzemenin hassas derinlik profili: birincil iyonlar 70C 'de 250 eV O2, ikincil iyonlar Si2N/Si2O